Pamięci GDDR3,2 4 GHz firmy Samsung

Samsung Electronics, największy na świecie producent pamięci, już produkuje próbki najszybszej pamięci GDDR4 SDRAM dla swoich partnerów do różnych celów rozwojowych i testowych.

Ich układy pamięci mogą działać z częstotliwością do 3,2 GHz, czyli prawie dwa razy szybciej niż kopie znajdujące się na dzisiejszych kartach graficznych. Chipy GDDR4 południowokoreańskiego producenta mają czas dostępu 0,6 ns, są produkowane z szerokością pasma 80 nm i mogą przechowywać 512 megabitów danych na jednym chipie. Jesienią 2005 roku producent wprowadził 256 MB pamięci GDDR4, które z kolei działały „tylko” z częstotliwością 2,5 GHz. Właściwości napięciowe i grzewcze nie zostały jeszcze zgłoszone. Przejście na GDDR4 jest również wspierane przez fakt, że jest to bezpośredni potomek GDDR3, więc producenci nie mogą włączyć go do swoich produktów z dużymi zmianami i pieniędzmi. Oczekuje się, że pamięci GDDR4 używane w krótkich połączeniach punkt-punkt znajdą się w najpotężniejszych kartach graficznych niedalekiej przyszłości. Rozpoczęcie produkcji seryjnej pamięci planowane jest na drugi kwartał 2006 roku.

Według badaczy rynku, sprzedaż układów pamięci graficznych może sięgnąć w tym roku 2,7 miliarda dolarów, o 10% więcej niż 2,5 miliarda w zeszłym roku.

Konkurent Hynix ogłosił swoje pamięci GDDR4 już w grudniu i planuje rozpocząć masową produkcję w pierwszym kwartale 2006 roku, wcześniej niż Samsung Electronics.

Pamięci GDDR4 firmy Samsung Electronics

GDDR4 firmy Hynix