Toshiba wykorzystuje technologię do 19 nm w branży pamięci NAND Flash
Producent chce posiadać najmniejszą i najbardziej zaawansowaną płytkę na świecie.
Tydzień temu zgłosiliśmy o tym Intel oraz chipy NAND Flash produkowane przy 20 nm we wspólnym przedsięwzięciu z Micron pod nazwą IM Flash Technologies. Teraz Toshiba z dumą ogłosiła, że chce pójść o krok dalej i zastosować proces 20 nm zamiast 19 nm. W efekcie powierzchnia takiego chipa typu MLC (Multi Level Cell) to zasięg rozwiązania konkurencyjnego, czyli 118 mm2 a pojemność wyniesie 64 Gbit (8 GB) w ten sam sposób. Firma rozpocznie dostarczanie pierwszych próbek pod koniec tego miesiąca, a masowa produkcja ma ruszyć w trzecim kwartale. Ten przedział czasowy jest podobny do tych zgłoszonych przez IMFT, który mówił o drugiej połowie 2011 roku. Toshiba będzie również oferować technologię o nazwie „Toggle DDR2.0”, która będzie miała korzystny wpływ na szybkość. SanDisk, partner wspomnianego producenta, chciałby jeszcze w tym roku dołączyć do grona producentów oferujących chipy NAND Flash 19 nm. Nowe rozwiązanie przyniesie korzyści przede wszystkim tabletom, dyskom SSD i smartfonom. Oficjalne ogłoszenie można znaleźć na stronie źródłowej.
