Pamięci DDR3 są już przy 30 nm

Samsung planuje również kolejne masowe modernizacje do końca roku.

Samsung rozpoczął masową produkcję układów pamięci 2 Gbit przy 30 nm. W rezultacie zużycie i napięcie robocze zostały znacznie zmniejszone. Oznacza to, że zegar do 1,35 MHz jest dostępny przy 1.866 V i 1,5 MHz przy 2.133 V. W porównaniu z poprzednimi chipami produkowanymi przy 50 nm, można uzyskać do 20% oszczędności energii na froncie serwera. Jednak producent nie poprzestaje na tym i do końca tego roku chce wprowadzić układy 4Gbit, które mogą teraz produkować moduły 8GB na liniach desktopów i notebooków, podczas gdy w przypadku serwerów pojemność modułu może osiągnąć 32GB.

Moduły z obecnymi chipami 2 Gbit będą dostępne w pojemnościach 2, 4 i 8 GB, ale nie ma jeszcze żadnych informacji na temat oczekiwanych cen.