Samsung rozpoczął produkcję układów pamięci DDR20 3 nm

Samsung zrobił ogromny krok naprzód i z pewnością zyskał dużą przewagę nad konkurentami, ponieważ jako pierwszy rozpoczął masową produkcję chipów MLC NAND flash w technologii 20 nm.

Powszechnie wiadomo, że rynek pamięci przechodzi obecnie niewielki kryzys, ponieważ zbyt duża konkurencja i malejące zainteresowanie klientów spowodowały nadprodukcję, a więc zapasy się nagromadziły, a producenci są już zmuszeni sprzedawać swoje produkty z coraz niższymi zyskami.

Teraz Samsung może zacząć produkować znacznie wydajniej przy 20 nm, ponieważ może uzyskać dostęp do 50% więcej chipów na powierzchni płytki krzemowej, oczywiście niektóre z gorszych wydajności na początku produkcji prawdopodobnie nawet z nawiązką zrekompensują bardziej wydajną produkcję . Z drugiej strony, zmiana technologii ma duży wpływ na zużycie wkładek, ponieważ ich zużycie może być mniejsze o 40%. Może to czynić ją niezwykle atrakcyjną w porównaniu z obecnymi trendami rynkowymi, ponieważ główny rynek przesunął się w kierunku maszyn przenośnych, gdzie jak najmniejsze zużycie jest bardzo potrzebne do wydłużenia czasu pracy, a wraz z rozwojem technologii 20 nm, telefony komórkowe mogą się nawet pojawić. frytki.

Samsung umieścił nową technologię w nowej fabryce, tu też odbyła się zapowiedź, tu też ruszy produkcja. Fabryka o nazwie Line-16 znajduje się w prowincji Gyeonggi w Korei Południowej w fabryce Samsunga o nazwie Nano City. Ogromny kompleks zajmuje powierzchnię 20 hektarów i planowana jest produkcja 10000 300 sztuk wafla 4 mm miesięcznie. Dzięki temu otwarto największą taką fabrykę. Produkcja dwóch gigabitowych chipów rozpocznie się w pierwszej turze, ale chciałbym rozpocząć produkcję 4 gigabitowych pamięci do końca roku. Sklepy są dostępne w pakietach 8GB, 16GB, 32GB i 3GB. A jednocześnie musimy liczyć się z nowszymi, zielonymi modułami DDRXNUMX, ponieważ te przeciętne pamięci DRAM zużywają już mniej niż dzisiejsze produkty o niskim poborze mocy.

źródło: TechPowerUp